349 W Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) 15

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    • SINGLE WITH BUILT-IN FET
    • SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    • SINGLE WITH BUILT-IN TVS DIODE AND RESISTOR
Surface Mount
    • NO
    • YES
Maximum Power Dissipation (Abs) (1)
    • 349 W
    • .45 W
    • .83 W
    • 1 W
    • 1.1 W
    • 1.3 W
    • 1.6 W
    • 1.8 W
    • 1.9 W
    • 10 W
    • 100 W
    • 1000 W
    • 10000 W
    • 101 W
    • 103 W
    • 104 W
    • 1040 W
    • 10400 W
    • 105 W
    • 1050 W
    • 10500 W
    • 1053 W
    • 106 W
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    • 110 W
    • 1100 W
    • 11000 W
    • 111 W
    • 112 W
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    • 19 W
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    • 1900 W
    • 19000 W
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    • 192.3 W
    • 1920 W
    • 19200 W
    • 194 W
    • 195 W
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    • 197 W
    • 198 W
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    • 2 W
    • 20 W
    • 20.8 W
    • 200 W
    • 2000 W
    • 20000 W
    • 201.6 W
    • 202 W
    • 205 W
    • 206 W
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    • 22 W
    • 22.5 W
    • 220 W
    • 2200 W
    • 2205 W
    • 223 W
    • 223.2 W
    • 225 W
    • 2250 W
    • 227 W
    • 227.2 W
    • 2270 W
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    • 24.2 W
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    • 245 W
    • 246 W
    • 25 W
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    • 259 W
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    • 3900 W
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    • 4000 W
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    • 431 W
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    • 441 W
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    • 450 W
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    • 454.4 W
    • 454.5 W
    • 455 W
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    • 4600 W
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    • 465 W
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    • 48 W
    • 48.5 W
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    • 484 W
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    • 500 W
    • 5000 W
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    • 54 W
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    • 543 W
    • 55 W
    • 55.5 W
    • 555 W
    • 5550 W
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    • 56 W
    • 560 W
    • 5600 W
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    • 570 W
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    • 58 W
    • 5800 W
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    • 5900 W
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    • 60 W
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    • 695 W
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    • 715 W
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    • 72 W
    • 73 W
    • 73.5 W
    • 730 W
    • 7300 W
    • 733 W
    • 735 W
    • 7350 W
    • 7400 W
    • 75 W
    • 750 W
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    • 76 W
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    • 78 W
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    • 9600 W
    • 961 W
    • 962 W
    • 98.5 W
    • 9800 W
    • 99 W
Maximum Collector Current (IC)
    • .32 A
    • .5 A
    • 1 A
    • 1.3 A
    • 10 A
    • 10.8 A
    • 100 A
    • 1000 A
    • 101 A
    • 102 A
    • 103 A
    • 104 A
    • 105 A
    • 1050 A
    • 106 A
    • 1060 A
    • 107 A
    • 108 A
    • 11 A
    • 11.4 A
    • 11.5 A
    • 11.7 A
    • 11.8 A
    • 110 A
    • 1100 A
    • 112 A
    • 113 A
    • 114 A
    • 115 A
    • 1150 A
    • 116 A
    • 117 A
    • 118 A
    • 119 A
    • 12 A
    • 120 A
    • 1200 A
    • 121 A
    • 1212 A
    • 122 A
    • 123 A
    • 124 A
    • 125 A
    • 1250 A
    • 1267 A
    • 128 A
    • 1290 A
    • 13 A
    • 130 A
    • 1300 A
    • 132 A
    • 134 A
    • 135 A
    • 136 A
    • 1375 A
    • 138 A
    • 139 A
    • 1390 A
    • 14 A
    • 14.3 A
    • 14.7 A
    • 140 A
    • 1400 A
    • 141 A
    • 144 A
    • 1440 A
    • 145 A
    • 149 A
    • 15 A
    • 15.5 A
    • 150 A
    • 1500 A
    • 152 A
    • 154 A
    • 155 A
    • 157 A
    • 16 A
    • 16.5 A
    • 160 A
    • 1600 A
    • 161 A
    • 164 A
    • 165 A
    • 167 A
    • 169 A
    • 17 A
    • 170 A
    • 1700 A
    • 171 A
    • 174 A
    • 175 A
    • 177 A
    • 178 A
    • 1790 A
    • 18 A
    • 18.8 A
    • 180 A
    • 1800 A
    • 1808 A
    • 181 A
    • 1825 A
    • 183 A
    • 185 A
    • 186 A
    • 187 A
    • 188 A
    • 19 A
    • 190 A
    • 1900 A
    • 195 A
    • 1950 A
    • 2 A
    • 2.4 A
    • 2.5 A
    • 20 A
    • 200 A
    • 2000 A
    • 205 A
    • 21 A
    • 210 A
    • 2132 A
    • 215 A
    • 216 A
    • 22 A
    • 220 A
    • 225 A
    • 2250 A
    • 226 A
    • 229 A
    • 23 A
    • 23.2 A
    • 23.5 A
    • 230 A
    • 2300 A
    • 235 A
    • 24 A
    • 24.5 A
    • 240 A
    • 2400 A
    • 2450 A
    • 25 A
    • 250 A
    • 255 A
    • 256 A
    • 258 A
    • 26 A
    • 26.9 A
    • 260 A
    • 2600 A
    • 263 A
    • 265 A
    • 27 A
    • 27.5 A
    • 270 A
    • 2700 A
    • 2735 A
    • 275 A
    • 28 A
    • 280 A
    • 283 A
    • 2850 A
    • 29 A
    • 290 A
    • 2900 A
    • 294 A
    • 295 A
    • 3 A
    • 3.2 A
    • 3.5 A
    • 30 A
    • 300 A
    • 3000 A
    • 309 A
    • 31 A
    • 310 A
    • 312 A
    • 313 A
    • 316 A
    • 32 A
    • 320 A
    • 3200 A
    • 325 A
    • 329 A
    • 33 A
    • 330 A
    • 3302 A
    • 335 A
    • 34 A
    • 340 A
    • 3450 A
    • 3460 A
    • 35 A
    • 350 A
    • 3550 A
    • 3560 A
    • 36 A
    • 360 A
    • 3600 A
    • 365 A
    • 37 A
    • 37.5 A
    • 370 A
    • 3700 A
    • 375 A
    • 38 A
    • 380 A
    • 3800 A
    • 385 A
    • 39 A
    • 390 A
    • 395 A
    • 4 A
    • 4.5 A
    • 40 A
    • 400 A
    • 4000 A
    • 404 A
    • 409 A
    • 41 A
    • 410 A
    • 42 A
    • 42.5 A
    • 420 A
    • 422 A
    • 425 A
    • 43 A
    • 430 A
    • 44 A
    • 440 A
    • 443 A
    • 45 A
    • 450 A
    • 46 A
    • 460 A
    • 465 A
    • 466 A
    • 47 A
    • 470 A
    • 4700 A
    • 475 A
    • 48 A
    • 480 A
    • 4800 A
    • 485 A
    • 49 A
    • 4930 A
    • 5 A
    • 5.3 A
    • 5.5 A
    • 5.7 A
    • 50 A
    • 500 A
    • 5001 A
    • 51 A
    • 510 A
    • 52 A
    • 520 A
    • 53 A
    • 530 A
    • 54 A
    • 540 A
    • 55 A
    • 550 A
    • 56 A
    • 560 A
    • 565 A
    • 57 A
    • 570 A
    • 58 A
    • 580 A
    • 59 A
    • 598 A
    • 6 A
    • 6.2 A
    • 6.3 A
    • 6.5 A
    • 6.8 A
    • 60 A
    • 600 A
    • 605 A
    • 61 A
    • 610 A
    • 618 A
    • 62 A
    • 625 A
    • 63 A
    • 630 A
    • 64 A
    • 65 A
    • 650 A
    • 66 A
    • 660 A
    • 67 A
    • 670 A
    • 675 A
    • 68 A
    • 680 A
    • 683 A
    • 69 A
    • 7 A
    • 7.2 A
    • 7.5 A
    • 7.8 A
    • 70 A
    • 700 A
    • 72 A
    • 720 A
    • 73 A
    • 74 A
    • 740 A
    • 75 A
    • 750 A
    • 76 A
    • 77 A
    • 770 A
    • 776 A
    • 78 A
    • 780 A
    • 79 A
    • 8 A
    • 8.5 A
    • 8.9 A
    • 80 A
    • 800 A
    • 81 A
    • 82 A
    • 820 A
    • 825 A
    • 83 A
    • 830 A
    • 84 A
    • 840 A
    • 85 A
    • 850 A
    • 86 A
    • 87 A
    • 88 A
    • 88.7 A
    • 89 A
    • 890 A
    • 9 A
    • 9.4 A
    • 9.5 A
    • 9.6 A
    • 90 A
    • 900 A
    • 92 A
    • 93 A
    • 930 A
    • 94 A
    • 95 A
    • 950 A
    • 96 A
    • 960 A
    • 975 A
    • 99 A
    • 995 A
Package Body Material
    • CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
    • METAL
    • PLASTIC/EPOXY
    • UNSPECIFIED
Transistor Application
    • AUTOMOTIVE IGNITION
    • GENERAL PURPOSE
    • GENERAL PURPOSE SWITCHING
    • MOTOR CONTROL
    • POWER AMPLIFIER
    • POWER CONTROL
    • SWITCHING
Maximum Emitter Current
    • 50 mA
Maximum Rise Time (tr)
    • .007 ns
    • 100 ns
    • 1000 ns
    • 102 ns
    • 105 ns
    • 11 ns
    • 110 ns
    • 12 ns
    • 120 ns
    • 130 ns
    • 135 ns
    • 138 ns
    • 14 ns
    • 140 ns
    • 14000 ns
    • 15 ns
    • 150 ns
    • 16 ns
    • 160 ns
    • 17 ns
    • 18 ns
    • 19 ns
    • 20 ns
    • 200 ns
    • 2000 ns
    • 21 ns
    • 22 ns
    • 23 ns
    • 24 ns
    • 240 ns
    • 2400 ns
    • 25 ns
    • 26 ns
    • 27 ns
    • 2700 ns
    • 28 ns
    • 29 ns
    • 30 ns
    • 300 ns
    • 31 ns
    • 32 ns
    • 34 ns
    • 35 ns
    • 36 ns
    • 36.4 ns
    • 39 ns
    • 40 ns
    • 400 ns
    • 4000 ns
    • 41 ns
    • 42 ns
    • 45 ns
    • 46 ns
    • 49 ns
    • 490 ns
    • 50 ns
    • 500 ns
    • 53 ns
    • 55 ns
    • 56 ns
    • 58 ns
    • 60 ns
    • 600 ns
    • 6000 ns
    • 64 ns
    • 7 ns
    • 70 ns
    • 700 ns
    • 7000 ns
    • 71 ns
    • 73 ns
    • 75 ns
    • 77 ns
    • 8 ns
    • 80 ns
    • 800 ns
    • 8000 ns
    • 82 ns
    • 84 ns
    • 90 ns
    • 9000 ns
Maximum VCEsat
    • 1.15 V
    • 1.18 V
    • 1.2 V
    • 1.23 V
    • 1.25 V
    • 1.26 V
    • 1.27 V
    • 1.3 V
    • 1.32 V
    • 1.325 V
    • 1.35 V
    • 1.36 V
    • 1.38 V
    • 1.4 V
    • 1.44 V
    • 1.45 V
    • 1.5 V
    • 1.55 V
    • 1.6 V
    • 1.61 V
    • 1.63 V
    • 1.64 V
    • 1.65 V
    • 1.67 V
    • 1.68 V
    • 1.69 V
    • 1.7 V
    • 1.72 V
    • 1.74 V
    • 1.75 V
    • 1.77 V
    • 1.8 V
    • 1.81 V
    • 1.82 V
    • 1.85 V
    • 1.87 V
    • 1.88 V
    • 1.9 V
    • 1.91 V
    • 1.92 V
    • 1.95 V
    • 1.97 V
    • 1.98 V
    • 2 V
    • 2.02 V
    • 2.05 V
    • 2.07 V
    • 2.1 V
    • 2.11 V
    • 2.15 V
    • 2.2 V
    • 2.22 V
    • 2.25 V
    • 2.3 V
    • 2.32 V
    • 2.34 V
    • 2.35 V
    • 2.4 V
    • 2.42 V
    • 2.45 V
    • 2.5 V
    • 2.55 V
    • 2.6 V
    • 2.65 V
    • 2.7 V
    • 2.75 V
    • 2.8 V
    • 2.85 V
    • 2.9 V
    • 2.95 V
    • 2.97 V
    • 3 V
    • 3.1 V
    • 3.15 V
    • 3.2 V
    • 3.3 V
    • 3.4 V
    • 3.5 V
    • 3.6 V
    • 3.65 V
    • 3.67 V
    • 3.7 V
    • 3.75 V
    • 3.8 V
    • 3.82 V
    • 3.85 V
    • 3.87 V
    • 3.9 V
    • 4 V
    • 4.1 V
    • 4.2 V
    • 4.25 V
    • 4.35 V
    • 4.4 V
    • 4.5 V
    • 4.6 V
    • 4.7 V
    • 4.9 V
    • 4.91 V
    • 5 V
    • 5.2 V
    • 5.4 V
    • 5.5 V
    • 5.55 V
    • 6 V
    • 6.4 V
    • 6.5 V
    • 7 V
    • 7.1 V
    • 7.2 V
    • 8 V
    • 9 V
Terminal Form
    • C BEND
    • FLAT
    • GULL WING
    • NO LEAD
    • PIN/PEG
    • SOLDER LUG
    • THROUGH-HOLE
    • UNSPECIFIED
    • WIRE
Package Shape
    • RECTANGULAR
    • ROUND
    • SQUARE
    • UNSPECIFIED
Operating Mode
    • ENHANCEMENT MODE
No. of Elements
    • 1
    • 12
    • 18
    • 2
    • 3
    • 4
    • 6
    • 7
    • 8
Maximum Fall Time (tf)
    • .015 ns
    • 100 ns
    • 1000 ns
    • 10000 ns
    • 102 ns
    • 105 ns
    • 108 ns
    • 1080 ns
    • 110 ns
    • 1100 ns
    • 11000 ns
    • 115 ns
    • 12.8 ns
    • 120 ns
    • 1200 ns
    • 12000 ns
    • 124 ns
    • 125 ns
    • 130 ns
    • 1300 ns
    • 132 ns
    • 134 ns
    • 1371 ns
    • 140 ns
    • 14000 ns
    • 15 ns
    • 150 ns
    • 1500 ns
    • 15000 ns
    • 16 ns
    • 160 ns
    • 165 ns
    • 17 ns
    • 170 ns
    • 175 ns
    • 180 ns
    • 1800 ns
    • 190 ns
    • 198 ns
    • 20 ns
    • 200 ns
    • 2000 ns
    • 20000 ns
    • 202 ns
    • 210 ns
    • 22 ns
    • 220 ns
    • 22000 ns
    • 230 ns
    • 24.8 ns
    • 240 ns
    • 250 ns
    • 255 ns
    • 26 ns
    • 260 ns
    • 264 ns
    • 27 ns
    • 270 ns
    • 275 ns
    • 28 ns
    • 280 ns
    • 29 ns
    • 30 ns
    • 300 ns
    • 3000 ns
    • 31 ns
    • 32 ns
    • 320 ns
    • 33 ns
    • 330 ns
    • 34 ns
    • 340 ns
    • 35 ns
    • 350 ns
    • 36 ns
    • 360 ns
    • 370 ns
    • 380 ns
    • 40 ns
    • 400 ns
    • 41 ns
    • 42 ns
    • 43 ns
    • 45 ns
    • 450 ns
    • 46 ns
    • 48 ns
    • 50 ns
    • 500 ns
    • 54 ns
    • 55 ns
    • 550 ns
    • 56 ns
    • 570 ns
    • 58 ns
    • 59 ns
    • 590 ns
    • 60 ns
    • 600 ns
    • 6000 ns
    • 61 ns
    • 62 ns
    • 63 ns
    • 638 ns
    • 64 ns
    • 65 ns
    • 670 ns
    • 68 ns
    • 680 ns
    • 70 ns
    • 700 ns
    • 7000 ns
    • 720 ns
    • 73 ns
    • 730 ns
    • 75 ns
    • 76 ns
    • 780 ns
    • 80 ns
    • 800 ns
    • 8000 ns
    • 81 ns
    • 84 ns
    • 85 ns
    • 86 ns
    • 87 ns
    • 89 ns
    • 90 ns
    • 900 ns
    • 95 ns
    • 96 ns
    • 99 ns
Maximum Drain Current (Abs) (ID)
    • 10 A
    • 7 A
Nominal Turn Off Time (toff)
    • .0076 ns
    • .47 ns
    • .67 ns
    • 100 ns
    • 100.5 ns
    • 1000 ns
    • 1005 ns
    • 1010 ns
    • 1015 ns
    • 1020 ns
    • 1025 ns
    • 103 ns
    • 1030 ns
    • 104 ns
    • 1040 ns
    • 1045 ns
    • 105 ns
    • 1050 ns
    • 106 ns
    • 1060 ns
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    • 950 ns
    • 955 ns
    • 956 ns
    • 96 ns
    • 960 ns
    • 970 ns
    • 978 ns
    • 98 ns
    • 980 ns
    • 988.4 ns
    • 99 ns
    • 990 ns
    • 996 ns
No. of Terminals
    • 1
    • 10
    • 11
    • 12
    • 13
    • 14
    • 15
    • 16
    • 17
    • 18
    • 19
    • 2
    • 20
    • 21
    • 22
    • 23
    • 24
    • 25
    • 26
    • 27
    • 28
    • 29
    • 3
    • 30
    • 31
    • 32
    • 33
    • 34
    • 35
    • 36
    • 37
    • 38
    • 39
    • 4
    • 40
    • 41
    • 42
    • 43
    • 44
    • 46
    • 5
    • 56
    • 59
    • 6
    • 68
    • 7
    • 8
    • 9
Package Style (Meter)
    • CYLINDRICAL
    • DISK BUTTON
    • FLANGE MOUNT
    • IN-LINE
    • MICROELECTRONIC ASSEMBLY
    • PRESS-FIT
    • SMALL OUTLINE
    • SPECIAL SHAPE
    • UNCASED CHIP
Sub-Category
    • FET General Purpose Power
    • Insulated Gate BIP Transistors
    • Other Transistors
    • Unijunction Transistors
Field Effect Transistor Technology
    • METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Maximum Power Dissipation Ambient
    • 100 W
    • 1100 W
    • 120 W
    • 1200 W
    • 125 W
    • 1250 W
    • 130 W
    • 1300 W
    • 1400 W
    • 150 W
    • 1500 W
    • 155 W
    • 160 W
    • 170 W
    • 180 W
    • 1800 W
    • 200 W
    • 2000 W
    • 2400 W
    • 250 W
    • 2500 W
    • 280 W
    • 2900 W
    • 30 W
    • 300 W
    • 3000 W
    • 320 W
    • 35 W
    • 350 W
    • 3600 W
    • 38 W
    • 390 W
    • 40 W
    • 400 W
    • 450 W
    • 50 W
    • 500 W
    • 55 W
    • 560 W
    • 60 W
    • 600 W
    • 625 W
    • 660 W
    • 670 W
    • 70 W
    • 700 W
    • 75 W
    • 780 W
    • 80 W
    • 830 W
    • 85 W
    • 90 W
    • 900 W
    • 950 W
Maximum Operating Temperature
    • 100 Cel
    • 125 Cel
    • 150 Cel
    • 1503 Cel
    • 175 Cel
    • 3 Cel
    • 55 Cel
    • 60 Cel
    • 65 Cel
    • 85 Cel
Transistor Element Material
    • SILICON
    • SILICON CARBIDE
Maximum Collector-Emitter Voltage
    • 1000 V
    • 1050 V
    • 1100 V
    • 1200 V
    • 12001 V
    • 1250 V
    • 1300 V
    • 135 V
    • 1350 V
    • 1400 V
    • 1500 V
    • 1600 V
    • 1700 V
    • 1800 V
    • 2000 V
    • 2200 V
    • 240 V
    • 250 V
    • 2500 V
    • 270 V
    • 300 V
    • 3000 V
    • 320 V
    • 325 V
    • 330 V
    • 3300 V
    • 350 V
    • 3500 V
    • 360 V
    • 3600 V
    • 365 V
    • 370 V
    • 375 V
    • 380 V
    • 382 V
    • 385 V
    • 390 V
    • 40 V
    • 400 V
    • 4000 V
    • 420 V
    • 425 V
    • 430 V
    • 435 V
    • 440 V
    • 445 V
    • 450 V
    • 4500 V
    • 460 V
    • 475 V
    • 480 V
    • 490 V
    • 495 V
    • 500 V
    • 560 V
    • 600 V
    • 620 V
    • 630 V
    • 6300 V
    • 650 V
    • 6500 V
    • 700 V
    • 705 V
    • 750 V
    • 800 V
    • 900 V
    • 950 V
Maximum Turn On Time (ton)
    • .011 ns
    • 100 ns
    • 1000 ns
    • 10000 ns
    • 104 ns
    • 10400 ns
    • 11 ns
    • 11000 ns
    • 120 ns
    • 1200 ns
    • 1300 ns
    • 134 ns
    • 150 ns
    • 160 ns
    • 170 ns
    • 17000 ns
    • 1950 ns
    • 2000 ns
    • 23 ns
    • 259 ns
    • 270 ns
    • 2750 ns
    • 280 ns
    • 300 ns
    • 32 ns
    • 33.4 ns
    • 37 ns
    • 3700 ns
    • 40 ns
    • 400 ns
    • 42 ns
    • 450 ns
    • 53 ns
    • 60 ns
    • 600 ns
    • 63 ns
    • 650 ns
    • 80 ns
    • 800 ns
    • 8000 ns
    • 82 ns
    • 84 ns
    • 85 ns
    • 9000 ns
    • 95 ns
    • 98 ns
    • 99 ns
Minimum Operating Temperature
    • -15 Cel
    • -25 Cel
    • -40 Cel
    • -50 Cel
    • -55 Cel
Maximum Gate-Emitter Voltage
    • 10 V
    • 12 V
    • 14 V
    • 15 V
    • 16 V
    • 17 V
    • 18 V
    • 20 V
    • 22 V
    • 25 V
    • 30 V
    • 33 V
    • 4 V
    • 6 V
    • 7.5 V
    • 8 V
Maximum Turn Off Time (toff)
    • .03 ns
    • 1000 ns
    • 10000 ns
    • 119 ns
    • 1200 ns
    • 12000 ns
    • 130 ns
    • 140 ns
    • 1400 ns
    • 150 ns
    • 1500 ns
    • 1550 ns
    • 156 ns
    • 1580 ns
    • 160 ns
    • 169 ns
    • 170 ns
    • 18000 ns
    • 1900 ns
    • 19000 ns
    • 1906 ns
    • 195 ns
    • 2000 ns
    • 20000 ns
    • 210 ns
    • 21000 ns
    • 222 ns
    • 2280 ns
    • 235 ns
    • 240 ns
    • 24000 ns
    • 249 ns
    • 25000 ns
    • 26 ns
    • 2600 ns
    • 265 ns
    • 266 ns
    • 270 ns
    • 280 ns
    • 282 ns
    • 285 ns
    • 30000 ns
    • 305 ns
    • 340 ns
    • 350 ns
    • 351 ns
    • 360 ns
    • 390 ns
    • 397 ns
    • 400 ns
    • 410 ns
    • 450 ns
    • 4500 ns
    • 458 ns
    • 470 ns
    • 4700 ns
    • 475 ns
    • 480 ns
    • 490 ns
    • 495 ns
    • 500 ns
    • 570 ns
    • 580 ns
    • 600 ns
    • 640 ns
    • 660 ns
    • 675 ns
    • 680 ns
    • 750 ns
    • 800 ns
    • 8000 ns
    • 900 ns
Maximum Gate-Emitter Threshold Voltage
    • .9 V
    • 1 V
    • 1.2 V
    • 1.4 V
    • 1.5 V
    • 1.8 V
    • 1.9 V
    • 2 V
    • 2.1 V
    • 2.2 V
    • 2.3 V
    • 2.4 V
    • 2.5 V
    • 2.6 V
    • 2.7 V
    • 20 V
    • 3 V
    • 3.2 V
    • 3.6 V
    • 3.9 V
    • 4 V
    • 4.3 V
    • 4.5 V
    • 4.7 V
    • 4.75 V
    • 4.8 V
    • 4.9 V
    • 5 V
    • 5.2 V
    • 5.5 V
    • 5.6 V
    • 5.7 V
    • 5.75 V
    • 5.8 V
    • 5.85 V
    • 5.9 V
    • 6 V
    • 6.05 V
    • 6.1 V
    • 6.2 V
    • 6.25 V
    • 6.3 V
    • 6.35 V
    • 6.4 V
    • 6.45 V
    • 6.5 V
    • 6.6 V
    • 6.7 V
    • 6.8 V
    • 6.9 V
    • 7 V
    • 7.1 V
    • 7.2 V
    • 7.3 V
    • 7.4 V
    • 7.5 V
    • 7.6 V
    • 7.7 V
    • 8 V
    • 8.5 V
    • 9 V
Terminal Finish
    • GOLD OVER NICKEL
    • Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
    • MATTE TIN
    • MATTE TIN OVER NICKEL
    • Matte Tin (Sn)
    • Matte Tin (Sn) - annealed
    • Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    • NICKEL
    • Nickel (39) Tin (984)
    • PURE TIN
    • TIN
    • TIN BISMUTH
    • TIN COPPER
    • TIN LEAD
    • TIN OVER NICKEL
    • TIN SILVER
    • TIN SILVER COPPER
    • TIN/SILVER
    • Tin (Sn)
    • Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    • Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
    • Tin/Lead (Sn/Pb)
    • Tin/Lead (Sn80Pb20)
    • Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    • Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Minimum Intrinsic Stand-off Ratio
    • .47
    • .58
Maximum Drain Current (ID)
    • 10 A
    • 7 A
Terminal Position
    • BOTTOM
    • DUAL
    • END
    • SINGLE
    • UNSPECIFIED
    • UPPER
JESD-30 Code
    • O-CEDB-N3
    • O-CEDB-X3
    • O-CEDB-X4
    • O-CXDB-X3
    • O-MBFM-P2
    • O-PBCY-T3
    • O-PBCY-W3
    • O-XUUC-N
    • O-XXDB-X4
    • R-CUFM-X10
    • R-CUFM-X21
    • R-MSFM-P3
    • R-MUFM-X22
    • R-PDFM-P17
    • R-PDIP-T26
    • R-PDIP-T38
    • R-PDSO-C8
    • R-PDSO-F8
    • R-PDSO-G2
    • R-PDSO-G21
    • R-PDSO-G3
    • R-PDSO-G4
    • R-PDSO-G8
    • R-PDSO-G9
    • R-PSFM-G2
    • R-PSFM-G7
    • R-PSFM-T10
    • R-PSFM-T11
    • R-PSFM-T13
    • R-PSFM-T2
    • R-PSFM-T3
    • R-PSFM-T4
    • R-PSFM-T7
    • R-PSFM-X7
    • R-PSIP-T3
    • R-PSIP-T4
    • R-PSIP-T5
    • R-PSSO-G2
    • R-PSSO-G3
    • R-PSSO-G6
    • R-PUFM-D12
    • R-PUFM-D13
    • R-PUFM-D15
    • R-PUFM-D17
    • R-PUFM-D3
    • R-PUFM-P10
    • R-PUFM-P14
    • R-PUFM-P17
    • R-PUFM-P24
    • R-PUFM-P25
    • R-PUFM-P32
    • R-PUFM-P9
    • R-PUFM-T17
    • R-PUFM-T24
    • R-PUFM-X10
    • R-PUFM-X11
    • R-PUFM-X12
    • R-PUFM-X14
    • R-PUFM-X17
    • R-PUFM-X19
    • R-PUFM-X22
    • R-PUFM-X23
    • R-PUFM-X24
    • R-PUFM-X3
    • R-PUFM-X35
    • R-PUFM-X4
    • R-PUFM-X43
    • R-PUFM-X5
    • R-PUFM-X6
    • R-PUFM-X7
    • R-PUFM-X8
    • R-PUFM-X9
    • R-XBPF-P18
    • R-XDFM-P17
    • R-XDIP-T20
    • R-XDIP-T26
    • R-XSFM-T11
    • R-XSFM-T13
    • R-XSFM-T3
    • R-XUFM-D21
    • R-XUFM-P11
    • R-XUFM-P12
    • R-XUFM-P13
    • R-XUFM-P15
    • R-XUFM-P16
    • R-XUFM-P17
    • R-XUFM-P22
    • R-XUFM-P24
    • R-XUFM-P25
    • R-XUFM-P35
    • R-XUFM-T12
    • R-XUFM-T23
    • R-XUFM-T39
    • R-XUFM-W13
    • R-XUFM-W15
    • R-XUFM-W24
    • R-XUFM-X
    • R-XUFM-X10
    • R-XUFM-X11
    • R-XUFM-X12
    • R-XUFM-X13
    • R-XUFM-X14
    • R-XUFM-X15
    • R-XUFM-X16
    • R-XUFM-X17
    • R-XUFM-X18
    • R-XUFM-X19
    • R-XUFM-X20
    • R-XUFM-X21
    • R-XUFM-X22
    • R-XUFM-X23
    • R-XUFM-X24
    • R-XUFM-X25
    • R-XUFM-X26
    • R-XUFM-X27
    • R-XUFM-X28
    • R-XUFM-X29
    • R-XUFM-X3
    • R-XUFM-X30
    • R-XUFM-X31
    • R-XUFM-X32
    • R-XUFM-X33
    • R-XUFM-X34
    • R-XUFM-X35
    • R-XUFM-X36
    • R-XUFM-X37
    • R-XUFM-X38
    • R-XUFM-X39
    • R-XUFM-X4
    • R-XUFM-X40
    • R-XUFM-X41
    • R-XUFM-X42
    • R-XUFM-X43
    • R-XUFM-X44
    • R-XUFM-X46
    • R-XUFM-X5
    • R-XUFM-X56
    • R-XUFM-X59
    • R-XUFM-X6
    • R-XUFM-X68
    • R-XUFM-X7
    • R-XUFM-X8
    • R-XUFM-X9
    • R-XUUC-N
    • R-XUUC-N1
    • R-XUUC-N10
    • R-XUUC-N2
    • R-XUUC-N3
    • R-XUUC-N4
    • R-XUUC-N5
    • R-XUUC-N6
    • R-XUUC-N7
    • R-XUUC-N8
    • R-XUUC-N9
    • R-XXMA-X
    • R-XXMA-X13
    • R-XXMA-X15
    • R-XXMA-X5
    • R-XXSS-X24
    • R-XXUC-N
    • S-MDFM-D6
    • S-MSFM-P3
    • S-XSFM-P3
    • S-XUFM-X4
    • S-XUUC-N
    • S-XUUC-N10
    • S-XUUC-N11
    • S-XUUC-N2
    • S-XUUC-N3
    • S-XUUC-N4
    • S-XUUC-N5
    • S-XUUC-N9
    • S-XXUC-N
    • X-XUUC-N
Moisture Sensitivity Level (MSL)
    • 1
    • 3
    • NOT APPLICABLE
Case Connection
    • COLLECTOR
    • EMITTER
    • ISOLATED
Qualification
    • Not Qualified
Maximum Intrinsic Stand-off Ratio
    • .62
    • .75
Minimum Static Inter-Base Resistance
    • 4.5 kohm
Additional Features
    • 1SCT2-P WITH BUILT IN FAULT-SIGNAL OUTPUT CKT(FO) AND OVER TEMPERATURE CKT(OT)
    • 3PHASE DIODE RECTIFIER, BRAKE AND INVERTER AVAILABLE IN A MODULE
    • AVALANCHE RATED
    • AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS
    • BIPOLAR MOS TRANSISTOR WITH COLLECTOR-EMITTER ON RESISTANCE OF 0.24 OHMS
    • BULK: 1000
    • CHOPPER SWITCH
    • ESD PROTECTED
    • FAST
    • FAST RECOVERY
    • FAST SPEED
    • FAST SWITCHING
    • FAST SWITCHING, LOW SATURATION VOLTAGE
    • FAST SWITCHING, ULTRA FAST SOFT RECOVERY
    • FAST, SHORT CIRCUIT RATED
    • FREE WHEELING DIODE
    • HIGH RELIABILITY
    • HIGH RELIABILITY, FAST SWITCHING
    • HIGH RELIABILITY, HIGH SPEED, LOW NOISE
    • HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
    • HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
    • HIGH SPEED
    • HIGH SPEED SWITCHING
    • HIGH SPEED SWITCHING, LOW SWITCHING LOSS, FAST RECOVERY
    • HIGH SPEED SWITCHING, ULTRA FAST SOFT RECOVERY
    • HIGH SPEED, FAST
    • HIGH SPEED, LOW NOISE
    • HIGH SPEED, ULTRA SOFT FAST RECOVERY
    • HIGH SWITCHING SPEED
    • HIGH VOLTAGE BIMOSFET
    • HIGHER RELIABILITY
    • INPUT LOGIC,ISOLATION,DRIVE CIRCUITRY AND PROTECTION IN A MODULE
    • INTEGRATED GATE RESISTOR
    • LOGIC LEVEL
    • LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    • LOGIC LEVEL, VOLTAGE CLAMPING
    • LOW CONDUCTION LOSS
    • LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
    • LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
    • LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING
    • LOW SATURATION VOLTAGE
    • LOW SATURATION VOLTAGE, FAST SWITCHING
    • LOW SATURATION VOLTAGE, LOW SWITCHING LOSSES
    • LOW SWITCHING LOSS, LOW SATURATION VOLTAGE
    • LOW SWITCHING LOSSES
    • NTC
    • RC-IGBT
    • SHORT CIRCUIT RATED
    • SHORT CIRCUIT RATED, ULTRA FAST
    • STANDARD SPEED
    • SUPER FAST RECOVERY
    • UL RECOGNIZED
    • ULTRA FAST
    • ULTRA FAST SOFT
    • ULTRA FAST SOFT RECOVERY
    • ULTRA FAST SPEED
    • ULTRA FAST SWITCHING
    • ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
    • ULTRA FAST, LOW SWITCHING LOSS, LOW SATURATION VOLTAGE
    • ULTRAFAST
    • ULTRAFAST, HIGH SPEED
    • VOLTAGE CLAMPING
JEDEC-95 Code
    • TO-204AA
    • TO-204AE
    • TO-218
    • TO-218AB
    • TO-220
    • TO-220AB
    • TO-226AE
    • TO-247
    • TO-247AA
    • TO-247AB
    • TO-247AC
    • TO-247AD
    • TO-247AE
    • TO-251
    • TO-251AA
    • TO-252
    • TO-252AA
    • TO-254AA
    • TO-257AA
    • TO-258AA
    • TO-259AA
    • TO-261
    • TO-261A
    • TO-262
    • TO-262AA
    • TO-263
    • TO-263AA
    • TO-263AB
    • TO-264
    • TO-264AA
    • TO-268
    • TO-268AA
    • TO-273AA
    • TO-274AA
JESD-609 Code
    • e0
    • e1
    • e2
    • e3
    • e3/e4
    • e4
    • e6
Maximum Time At Peak Reflow Temperature (s)
    • 10
    • 30
    • 40
    • NOT SPECIFIED
Peak Reflow Temperature (C)
    • 220
    • 225
    • 235
    • 240
    • 245
    • 250
    • 260
    • NOT SPECIFIED
Nominal Turn On Time (ton)
    • .0028 ns
    • .228 ns
    • 10.3 ns
    • 10.5 ns
    • 100 ns
    • 1000 ns
    • 100000 ns
    • 101 ns
    • 1010 ns
    • 102 ns
    • 1020 ns
    • 103 ns
    • 1030 ns
    • 104 ns
    • 105 ns
    • 1050 ns
    • 106 ns
    • 106.4 ns
    • 1060 ns
    • 107 ns
    • 1075 ns
    • 108 ns
    • 109 ns
    • 1092 ns
    • 11 ns
    • 11.5 ns
    • 110 ns
    • 110.42 ns
    • 1100 ns
    • 11000 ns
    • 110000 ns
    • 111 ns
    • 112 ns
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    • 1130 ns
    • 114 ns
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    • 115000 ns
    • 116 ns
    • 1160 ns
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    • 12.6 ns
    • 120 ns
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    • 136 ns
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    • 14 ns
    • 14.2 ns
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    • 800 ns
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    • 955 ns
    • 958 ns
    • 96 ns
    • 960 ns
    • 97 ns
    • 98 ns
    • 99 ns
Reference Standard
    • AEC-Q101
    • AEC-Q101; UL RECOGNIZED
    • IEC-1287
    • IEC-60077-1; IEC-1287
    • IEC-60747
    • IEC-60747, 60749, 60068; IEC-61140; UL RECOGNIZED
    • IEC-60747-1
    • IEC-60747-1; UL RECOGNIZED
    • IEC-60747; IEC-60749; IEC-60068
    • IEC-60747; IEC-60749; IEC-60068; IEC-61140
    • IEC-60747; IEC-60749; IEC60068; IEC-61140
    • IEC-60747; UL RECOGNIZED
    • IEC-61140
    • IEC-61140; UL APPROVED
    • IEC-61140; UL RECOGNIZED
    • IEC-61249-2-21
    • IEC-62258-3
    • MIL-STD-202
    • UL APPROVED
    • UL RECOGNIZED
    • UL REGISTERED
Reset All
Part RoHS Manufacturer Polarity or Channel Type Configuration Surface Mount Maximum Power Dissipation (Abs) Maximum Collector Current (IC) Package Body Material Transistor Application Maximum Emitter Current Maximum Rise Time (tr) Maximum VCEsat Terminal Form Package Shape Operating Mode No. of Elements Maximum Fall Time (tf) Maximum Drain Current (Abs) (ID) Nominal Turn Off Time (toff) No. of Terminals Package Style (Meter) Sub-Category Field Effect Transistor Technology Maximum Power Dissipation Ambient Maximum Operating Temperature Transistor Element Material Maximum Collector-Emitter Voltage Maximum Turn On Time (ton) Minimum Operating Temperature Maximum Gate-Emitter Voltage Maximum Turn Off Time (toff) Maximum Gate-Emitter Threshold Voltage Terminal Finish Minimum Intrinsic Stand-off Ratio Maximum Drain Current (ID) Terminal Position JESD-30 Code Moisture Sensitivity Level (MSL) Case Connection Qualification Maximum Intrinsic Stand-off Ratio Minimum Static Inter-Base Resistance Additional Features JEDEC-95 Code JESD-609 Code Maximum Time At Peak Reflow Temperature (s) Peak Reflow Temperature (C) Nominal Turn On Time (ton) Reference Standard

FGH40N60SMD

Onsemi

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

80 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

28 ns

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

17 ns

132 ns

3

FLANGE MOUNT

Insulated Gate BIP Transistors

175 Cel

SILICON

600 V

20 V

6 V

Matte Tin (Sn) - annealed

SINGLE

R-PSFM-T3

COLLECTOR

Not Qualified

LOW CONDUCTION LOSS

TO-247AB

e3

NOT SPECIFIED

NOT SPECIFIED

37 ns

FGH40N60SMDF

Onsemi

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

80 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

28 ns

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

17 ns

132 ns

3

FLANGE MOUNT

Insulated Gate BIP Transistors

175 Cel

SILICON

600 V

20 V

6 V

Matte Tin (Sn) - annealed

SINGLE

R-PSFM-T3

COLLECTOR

Not Qualified

TO-247AB

e3

NOT SPECIFIED

NOT SPECIFIED

37 ns

FGH40N60SMDF_F085

Onsemi

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

80 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

2.5 V

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

20 ns

123 ns

3

FLANGE MOUNT

175 Cel

SILICON

600 V

-55 Cel

20 V

6 V

Matte Tin (Sn)

SINGLE

R-PSFM-T3

COLLECTOR

RC-IGBT

TO-247AB

e3

NOT SPECIFIED

NOT SPECIFIED

50 ns

AEC-Q101

FGH40N60SMDF-F085

Onsemi

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

80 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

2.5 V

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

20 ns

123 ns

3

FLANGE MOUNT

175 Cel

SILICON

600 V

-55 Cel

20 V

6 V

MATTE TIN

SINGLE

R-PSFM-T3

LOW CONDUCTION LOSS

TO-247

e3

50 ns

FGH40N60SMD_F085

Fairchild Semiconductor

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

80 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

36.4 ns

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

81 ns

172.5 ns

3

FLANGE MOUNT

Insulated Gate BIP Transistors

175 Cel

SILICON

600 V

20 V

6 V

SINGLE

R-PSFM-T3

COLLECTOR

TO-247AB

e3

NOT SPECIFIED

NOT SPECIFIED

43.7 ns

AEC-Q101

FGH40N60SMD-F085

Onsemi

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

80 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

36.4 ns

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

81 ns

172.5 ns

3

FLANGE MOUNT

Insulated Gate BIP Transistors

175 Cel

SILICON

600 V

20 V

6 V

Matte Tin (Sn) - annealed

SINGLE

R-PSFM-T3

COLLECTOR

TO-247AB

e3

NOT SPECIFIED

NOT SPECIFIED

43.7 ns

AEC-Q101

NGTB25N120FL3WG

Onsemi

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

50 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

1.95 V

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

282 ns

3

FLANGE MOUNT

175 Cel

SILICON

1200 V

-55 Cel

20 V

6.5 V

MATTE TIN

SINGLE

R-PSFM-T3

TO-247

e3

36 ns

FGA40N65SMD

Onsemi

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

80 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

28 ns

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

17 ns

3

FLANGE MOUNT

Insulated Gate BIP Transistors

175 Cel

SILICON

650 V

20 V

6 V

Matte Tin (Sn) - annealed

SINGLE

R-PSFM-T3

LOW CONDUCTION LOSS

e3

NOT SPECIFIED

NOT SPECIFIED

FGH60T65SHD-F155

Onsemi

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

120 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

2.1 V

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

165 ns

3

FLANGE MOUNT

175 Cel

SILICON

650 V

-55 Cel

20 V

7.5 V

Matte Tin (Sn) - annealed

SINGLE

R-PSFM-T3

RC-IGBT

TO-247

e3

NOT SPECIFIED

NOT SPECIFIED

85 ns

FGB40N60SM

Onsemi

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

YES

349 W

80 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

28 ns

GULL WING

RECTANGULAR

1

17 ns

132 ns

2

SMALL OUTLINE

Insulated Gate BIP Transistors

175 Cel

SILICON

600 V

20 V

6 V

MATTE TIN

SINGLE

R-PSSO-G2

1

COLLECTOR

TO-263AB

e3

30

260

37 ns

IHW30N135R3

Infineon Technologies

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

60 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

1.85 V

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

510 ns

3

FLANGE MOUNT

175 Cel

SILICON

1350 V

-40 Cel

20 V

6.4 V

SINGLE

R-PSFM-T3

COLLECTOR

TO-247

NOT SPECIFIED

NOT SPECIFIED

IHW30N120R3

Infineon Technologies

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

60 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

1.75 V

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

484 ns

3

FLANGE MOUNT

175 Cel

SILICON

1200 V

-40 Cel

20 V

6.4 V

SINGLE

R-PSFM-T3

COLLECTOR

TO-247

NOT SPECIFIED

NOT SPECIFIED

IHW30N120R3FKSA1

Infineon Technologies

N-CHANNEL

NO

349 W

60 A

Insulated Gate BIP Transistors

175 Cel

1200 V

20 V

6.4 V

TIN

e3

IHW30N135R3FKSA1

Infineon Technologies

N-CHANNEL

NO

349 W

60 A

Insulated Gate BIP Transistors

175 Cel

1350 V

20 V

6.4 V

TIN

e3

IKW25N120T2

Infineon Technologies

N-CHANNEL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

NO

349 W

50 A

PLASTIC/EPOXY

POWER CONTROL

THROUGH-HOLE

RECTANGULAR

1

504 ns

3

FLANGE MOUNT

Insulated Gate BIP Transistors

150 Cel

SILICON

1200 V

20 V

6.4 V

TIN

SINGLE

R-PSFM-T3

COLLECTOR

Not Qualified

TO-247AD

e3

49 ns

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT)

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) are electronic devices used in power electronics to control and switch high voltage and high current levels. They are commonly used in applications such as motor drives, power supplies, and welding equipment.

The IGBT is a three-terminal device that combines the high-speed switching capability of a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with the low conduction losses of a bipolar transistor. The IGBT consists of a p-type and n-type semiconductor material, which are sandwiched between two electrodes, and an insulated gate electrode.

The IGBT is operated by applying a voltage to the gate electrode, which creates a conductive channel between the p-type and n-type material, allowing current to flow through the device. The IGBT is turned off by reducing the gate voltage, which reduces the conductivity of the channel and stops the flow of current.

IGBTs are designed to handle high voltage and high current levels, and have a low on-resistance and high switching speed. They are typically used in applications that require efficient and precise control of power, such as motor drives and power supplies.

IGBTs are subject to various standards and regulations, such as UL (Underwriters Laboratories) and CE (Conformité Européenne), to ensure their safety and performance. Proper selection and use of IGBTs are critical to ensure reliable and efficient operation of power electronics systems. IGBTs are often used in conjunction with other components, such as diodes and capacitors, to form complete power electronics circuits.